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ON Semiconductor SiC二极管和IGBT功率集成模块的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-05-10

摘要： 碳化硅(SiC)二极管和IGBT功率集成模块(PIM)提供较低的导通和开关损耗。这些集成的高速场停止IGBT和SiC二极管具有内置的负温度系数(NTC)温度监测。SiC二极管和IGBT pim针对需要更紧凑设计的太阳能逆变器

ON Semiconductor碳化硅(SiC)二极管和IGBT功率集成模块(PIM)提供较低的导通和开关损耗。这些集成的高速场停止IGBT和SiC二极管具有内置的负温度系数(NTC)温度监测。SiC二极管和IGBT pim针对需要更紧凑设计的太阳能逆变器、UPS或功率级进行了优化。

特性

快速IGBT低V(CE(SAT))高效率
低导通和开关损耗
高速场停止IGBT
用于高速开关的SiC二极管

内置NTC温度监测
焊针
温度传感器

应用程序

太阳能逆变器
不间断电源(UPS)

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