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ISSI IS34ML/MW SLC NAND闪存芯片的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-05-10

摘要： ISSI IS34ML/MW SLC NAND闪存芯片存储每存储器单元1位数据，并提供快速读写能力。这些闪存芯片有1Gb、2Gb和4Gb内存可供选择。IS34ML/MW闪存芯片具有灵活的x8或x16选项，硬件数据保护，自动读取操作，低成本的...

ISSI IS34ML/MW SLC NAND闪存芯片存储每存储器单元1位数据，并提供快速读写能力。这些闪存芯片有1Gb、2Gb和4Gb内存可供选择。IS34ML/MW闪存芯片具有灵活的x8或x16选项，硬件数据保护，自动读取操作，低成本的均匀块，典型的3ms块擦除时间。这些集成电路适用于需要高可靠性的高性能应用。典型的应用包括汽车信息娱乐、仪表集群、工业仪表和传感器、智能计量、数字电视和相机、游戏机、打印机和机顶盒。

特性

电源电压
- IS34ML闪存
  - VCC范围为2.7V ~ 3.6V
- IS34MW闪存
  - VCC范围为1.7V ~ 1.95V
灵活的x8或x16选项
具有成本效益的统一区块

典型的3毫秒块擦除时间
自动读取操作
硬件数据保护
100 k计划/消除周期
10年数据保留

应用程序

汽车信息娱乐
产业集群
ADAS
工业仪表和传感器
PoS终端

智能计量
游戏机
打印机
数码电视和相机
机顶盒

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