Infineon Technologies PROFET + 2保护高侧电源开关的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-05-08

摘要： 英飞凌科技PROFET + 2保护高侧电源开关提供最先进的诊断和保护功能。PROFET+2开关封装在PG-TSDSO-14外露的衬垫封装中，针脚间距为0.65mm，最低R(DS(ON))为2x8毫欧。PROFET+ 2系列兼容市场上最苛刻的...

英飞凌科技PROFET + 2保护高侧电源开关提供最先进的诊断和保护功能。PROFET+2开关封装在PG-TSDSO-14外露的衬垫封装中，针脚间距为0.65mm，最低R(DS(ON))为2x8毫欧。PROFET+ 2系列兼容市场上最苛刻的反向电池要求。这是第一次在单芯片产品上，开关采用了ReverSave ，它可以在极性相反的情况下使功率晶体管打开。

PROFET+ 2系列具有突出的能效，减少电流消耗和先进的电流感知精度。在不影响电磁兼容性(EMC)的情况下，获得基准的低起动电压能力和更快的开关/回转速率。

特性

基本特征
- 具有诊断和嵌入式保护的高侧开关
- PROFET TM+2家族成员
- 在反向极性下低功耗的ReverSave
- 逆电流状态下的接通能力
- 绿色产品(符合RoHS要求)
- 符合AEC Q100一级标准
保护功能
- 绝对和动态温度限制，控制重启
- 过流保护(跳闸)，智能重启控制
- 欠压关闭
- 外接元件过压保护
诊断功能
- 比例负载电流检测
- 开装处于开、关状态
- 短路对地和电池