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半导体NVD5C功率场效应管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-05-07

摘要： 在半导体NVD5C功率mosfet是AEC-Q101合格的，并为汽车应用提供强大的解决方案。NVD5C功率mosfet提供低RDS(on)以最小化传导损耗，低QG和电容以最小化驱动器损耗。这些单n沟道mosfet被封装在一个紧凑的表面安装D...

在半导体NVD5C功率mosfet是AEC-Q101合格的，并为汽车应用提供强大的解决方案。NVD5C功率mosfet提供低RDS(on)以最小化传导损耗，低QG和电容以最小化驱动器损耗。这些单n沟道mosfet被封装在一个紧凑的表面安装DPAK封装中，无铅、无卤素/无BFR，并符合RoHS标准。

特性

低导通电阻
最小的传导损失
大电流的能力

健壮的负载性能
100%雪崩能量测试
过分强调保护电压

应用程序

低端的司机
高压侧的司机
马达驱动

汽车动力系统
汽车空调汽车
ABS压力泵

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