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德州仪器LMG5200 80V GaN半桥电源级的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-05-07

摘要： 德州仪器LMG5200 80V GaN半桥功率级使用增强模式氮化镓(GaN) fet提供集成的功率级解决方案。该器件由两个80V GaN FET组成，由一个高频GaN FET驱动，采用半桥结构。氮化镓场效应晶体管为功率转换提供了显著的优势，...

德州仪器LMG5200 80V GaN半桥功率级使用增强模式氮化镓(GaN) fet提供集成的功率级解决方案。该器件由两个80V GaN FET组成，由一个高频GaN FET驱动，采用半桥结构。氮化镓场效应晶体管为功率转换提供了显著的优势，因为它们具有接近于零的反向恢复和很小的输入电容C (ISS)。所有的器件都安装在一个完全无连接线的封装平台上，封装寄生元件最小。TTL逻辑兼容输入可以承受高达12V的输入电压，无论V是多少 (CC)电压。专有的自举电压夹紧技术确保增强模式GaN fet的栅极电压在一个安全的工作范围内。

特性

集成15毫欧GaN fet和驱动器
连续80V，额定脉冲电压100V
封装优化，易于PCB布局，消除需要下填充，漏电，和间隙要求
低功耗
极低的共源电感，以确保高转换速率开关，而不会在硬开关拓扑中造成过多振铃

理想的隔离和非隔离应用
闸极驱动器能够高达10MHz的开关
内部自举供电电压箝位，以防止GaN FET超速
供电轨欠压闭锁保护
优秀的传播延迟(29.5ns典型)和匹配(2ns典型)

应用程序

宽V(IN)多mhz同步降压转换器
高功率密度单、三相电机驱动
D类音频放大器

用于电信、工业和企业计算的48V点负载(POL)转换器

框图

TI参考设计库

TI参考设计库

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