摘要: 微芯片SAM G55G/G55J基于智能ARM的Flash mcu是高性能、低功耗的,基于32位ARM Cortex -M4 RISC处理器和浮点单元FPU(浮点单元)。特性包括512k字节的闪存和高达176k字节的SRAM,最大运...
微芯片SAM G55G/G55J基于智能ARM的Flash mcu是高性能、低功耗的,基于32位ARM Cortex -M4 RISC处理器和浮点单元FPU(浮点单元)。
特性包括512k字节的闪存和高达176k字节的SRAM,最大运行速度为120MHz。八个灵活的通信单元包括USARTs, spi和I(2) c总线接口(TWIs),是一些外设。G55G/G55J有三种软件可选的低功耗模式:休眠、等待和备份。
实时事件管理允许外设以活动和休眠模式接收、响应和发送事件,而无需处理器干预。灵活的时钟系统为某些外设提供不同的时钟频率,从而实现功耗优化。
此外,在不影响外设处理的情况下,可以修改处理器和总线时钟频率。49引脚WLCSP、64引脚QFN和64引脚LQFP的小封装选项与丰富灵活的外围设备组合。
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