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东芝SSM3高电流场效应晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-05-07

摘要： 东芝SSM3高电流mosfet提供高漏极额定电流、低电容、低导通电阻和快速开关。金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)是电子器件中用于开关和放大电子信号的半导体器件。应用范围包括移动设备(可穿戴设备、智能手机、平板电脑等)、负载开关、...

东芝SSM3高电流mosfet提供高漏极额定电流、低电容、低导通电阻和快速开关。金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)是电子器件中用于开关和放大电子信号的半导体器件。应用范围包括移动设备(可穿戴设备、智能手机、平板电脑等)、负载开关、DC-DC转换器和通用开关。

CST3C的尺寸只有0.8×0.6mm，只是行业标准SOT-723封装尺寸的三分之一。CST3C封装是高密度安装的理想选择，同时实现与SOT-723相比更低的导通电阻。CST3C封装是可控的，栅极电压为1.2V

特性

工作温度范围:-55℃~ 150℃
漏源电阻(RDS(ON)): 390毫欧到4.7欧姆
漏源击穿电压(Vds): -20V至60V
功耗(Pd): 150mW ~ 2W
SMD / SMT

n沟道mosfet
- 漏极-源极电压(V(DSS)) 20V ~ 60V范围，栅极和源极短路时，漏极和源极之间可施加的最大电压
- +12/-8到±20范围的栅源电压(V(GSS))，可施加在栅极和源极之间的最大电压，漏极和源极短路。
- 3.5A至15A连续漏极电流

应用程序

移动设备(可穿戴设备、智能手机、平板电脑等)
负荷开关
直流-直流转换器
通用开关

n沟道mosfet

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