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NXP Semiconductors AFV10700H射频功率LDMOS晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-05-06

摘要： NXP Semiconductors AFV10700H射频功率LDMOS晶体管专为工作在1030MHz至1090MHz的脉冲应用而设计。这种LDMOS晶体管也可以在960MHz到1215MHz频段以低功率使用。该设备适用于具有大占空比和长...

NXP Semiconductors AFV10700H射频功率LDMOS晶体管专为工作在1030MHz至1090MHz的脉冲应用而设计。这种LDMOS晶体管也可以在960MHz到1215MHz频段以低功率使用。该设备适用于具有大占空比和长脉冲的国防和商业脉冲应用，如敌I识别、二次监视雷达、ADS-B应答器、二甲醚和其他复杂脉冲链。AFV10700H射频功率LDMOS晶体管基于NXP Airfast技术，包含在紧凑的NI-780H-4L (AFV10700H)或NI-780S-4L (AFV10700HS)空腔包中，设计灵活性。

AFV10700H射频功率LDMOS晶体管基于NXP Airfast技术，包含在紧凑的NI-780H-4L (AFV10700H)或NI-780S-4L (AFV10700HS)空腔包中，设计灵活性。

特性

内部输入和输出匹配宽带操作和易于使用
设备可采用单端，推拉，或正对接置
最高可达55V(DD)运行
高强度，手柄>20:1VSWR
集成ESD保护，具有更大的负栅源电压范围，改善了C类操作和栅电压脉冲
推荐驱动程序:MRFE6VS25N (25W)或MRF6V10010N (10W)
通过无铅认证
包括NXP产品寿命计划，在推出后至少15年的供应保证。

规范

频率范围:1030MHz ~ 1090MHz
电源电压:50 v
输出功率:峰值700W
测试信号:脉冲
功率增益:19.2dB @ 1030MHz
效率:58.5%
热敏电阻:0.03°C / W
输入和输出阻抗匹配
AB类:

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