Vishay / Siliconix TrenchFET Gen IV型mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-29

摘要： Vishay / Siliconix TrenchFET Gen IV型mosfet是下一代TrenchFET 系列功率mosfet。TrenchFET Gen IV mosfet在PowerPAK SO-8和1212-8S封装中提供业界低...

Vishay / Siliconix TrenchFETGen IV型mosfet是下一代TrenchFET系列功率mosfet。TrenchFET Gen IV mosfet在PowerPAKSO-8和1212-8S封装中提供业界低导通电阻和低栅极总电荷。这些沟槽fet Gen IV mosfet具有极低的R(DS(on))，这意味着更低的传导损耗，从而降低功耗。TrenchFET mosfet还配备了节省空间的PowerPAK1212-8封装，其体积的三分之一具有类似的效率。典型的应用包括大功率DC/DC变换器、同步整流、太阳能微逆变器和电机驱动开关。

TrenchFET mosfet在功率mosfet中有广泛的高级封装选择，如-200V到800V击穿电压和1.2V宽栅极驱动电压范围。这些mosfet优化了最低R(ds(on))用于负载开关应用和最低门电荷和快速开关电容。mosfet分为低压和中压沟槽效应管。

低电压TrenchFET 具有高效率，增加功率密度，并配有节省空间的封装。这些是理想的消费电子产品，无人机，计算机和电信设备。

中压TrenchFET 具有紧凑和高效的器件，可实现布局优化，减少组件数量，并实现最高效率。这些是理想的电源供应，电机驱动控制，和可再生能源。

Vishay Siliconix SkyFET mosfet也是Vishay Siliconix TrenchFET Gen IV功率mosfet产品的一部分。