Cypress Semiconductor S71KL512SC0 HyperFlash和HyperRAM MCP的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-28

摘要： 赛普拉斯半导体S71KL512SC0超闪存和HyperRAM多芯片包结合了用于快速启动的高速NOR闪存和用于扩展暂存存储器的自刷新DRAM。S71KL512SCO封装在一个减少的足迹和低引脚计数包。这个完整的NOR Flash/DRAM存储...

赛普拉斯半导体S71KL512SC0超闪存和HyperRAM多芯片包结合了用于快速启动的高速NOR闪存和用于扩展暂存存储器的自刷新DRAM。S71KL512SCO封装在一个减少的足迹和低引脚计数包。这个完整的NOR Flash/DRAM存储子系统基于Cypress HyperBus接口，是空间受限、成本优化的物联网和嵌入式设计的理想解决方案。

HyperFlash和HyperRAM MCP是各种嵌入式应用程序的理想解决方案。这些应用包括汽车集群和信息娱乐、通信设备、工业应用和高性能消费产品。

MCP提供工业(-40°C至85°C)和工业加(-40°C至105°C)温度范围。这两个温度范围也可与AEC - Q100认证和PPAP支持。

特性

多芯片封装的HyperFlash和HyperRAM (MCP)
- 3.0V, 512Mb超闪存和64mb超ram (S71KL512SC0)
- FBGA 24球，6x8x1.0mm封装
HyperBus接口
3.0V I/O, 11总线信号
- 单端时钟(CK)
- 芯片选择(CS #)
- 8位数据总线(DQ[7:0])
- 读写数据频闪
  - 双向数据选通/面具
  - 在所有事务开始时的输出，以指示刷新延迟
  - 在读取事务期间的输出作为读取数据频闪
  - 写入事务期间的输入为写入数据掩码

可选信号
- 重置
- INT#输出，以生成外部中断
  - 忙碌到就绪的转换
- RSTO#输出生成系统级上电复位(POR)
  - 用户可配置的RSTO#低周期
高性能
- 1率(DDR)
  - 每个时钟传输两次数据
- 高达100MHz时钟速率(200MB/s)在3.0V(CC)

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

上一篇：ADI LT8391 Buck-Boost LED控制器的演示的介绍、特性、及应用

下一篇：MAX77650/MAX77651超低功耗pics的介绍、特性、及应用

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

华强商城公众号

华强商城M站

芯八哥公众号

华强微电子公众号

华强电子网公众号

Cypress Semiconductor S71KL512SC0 HyperFlash和HyperRAM MCP的介绍、特性、及应用

特性