Vishay / Siliconix TrenchFET mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-28

摘要： Vishay / Siliconix TrenchFET mosfet具有P通道和n通道硅技术，使这些设备能够在PowerPAK SO-8中提供优秀的1.9毫欧导通电阻规格。这些mosfet的通阻只有市场上第二好的器件的一半。n通道mosf...

Vishay / Siliconix TrenchFET mosfet具有P通道和n通道硅技术，使这些设备能够在PowerPAK SO-8中提供优秀的1.9毫欧导通电阻规格。这些mosfet的通阻只有市场上第二好的器件的一半。n通道mosfet提供40V到250V漏源击穿电压范围，375W功率耗散额定功率，以及根据型号而定的ThunderFET功率。p通道mosfet具有最多2通道，贴片和通孔安装，以及12V到200V漏源击穿电压范围。

特性

p沟道场效应管
- 降低了p通道器件高达45%的导通电阻
- 导电损耗低，节约电能
- 对于电池供电的应用程序，两次充电的间隔时间更长
- 要么采用第三代技术，要么采用第四代技术
- 更环保地使用电力
- Gen-IV p沟道场效应管:
  - 提供较低的导通电阻
  - 来一个热增强紧凑型包装
- 各种包大小，从PowerPAK SO-8到1.6mm x 1.6mm的PowerPAK SC-75
- 击穿电压12V至200V