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英飞凌技术IRS2007 200v半桥驱动器的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-28

摘要： 英飞凌技术IRS2007 200v半桥驱动是高电压、高速功率MOSFET驱动，具有依赖的高、低侧参考输出通道。专有的HVIC和latchimmune CMOS技术使坚固的单片结构成为可能。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，可兼容3....

英飞凌技术IRS2007 200v半桥驱动是高电压、高速功率MOSFET驱动，具有依赖的高、低侧参考输出通道。专有的HVIC和latchimmune CMOS技术使坚固的单片结构成为可能。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，可兼容3.3V逻辑。输出驱动具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小的驱动交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置的n通道功率MOSFET或IGBT，工作电压最高可达200V。传播延迟匹配，以简化HVIC在高频应用中的使用。

特性

IO+ / IO- 290mA / 600mA典型栅极电流
栅极驱动电压高达20V每通道
V(CC)， V(BS)独立欠压锁定
兼容3.3V、5.0V、15.0V输入逻辑
能承受负瞬态电压
专为使用引导电源
Cross-conduction预防逻辑

两个信道的匹配传播延迟
内部设置空时
高侧同相输出，H(in)输入
L(IN)输入时低侧输出反相
-40°C到125°C的工作范围
2 kv HBM ESD
通过无铅认证

应用程序

电池电动工具
电池操作的园林设备
轻型电动汽车(电动自行车、电动踏板车、电动玩具)

无线充电
其他通用电池驱动的应用

典型的连接图

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