Microchip TC6321 N和p通道MOSFET对集成了门-源电阻和门-源齐纳二极管钳。此MOSFET对是专为需要高压、大电流驱动和快速开关速度的开关和放大应用而设计的。该TC6321与MD12xx、MD17xx或MD18xx超声MOSFET驱动器组合形成高速高压脉冲电路。TC6321 MOSFET操作温度从-40°C到150°C和VDS公司范围从-200 v到200 v。

TC6321 MOSFET对采用先进的垂直DMOS结构和硅栅制造工艺。这种组合提供了MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的双极晶体管的功率处理能力。

特性

• 快速切换速度

• 集成gate-to-source电阻器

• 集成门-源齐纳二极管

• 低阈值

• 低导通电阻

• 无二次击穿

• 低输入电容

• 独立且电隔离的N和p通道

• 低输入和输出泄漏

• 8引脚6x5mm VDFN封装

应用程序

• 高压脉冲发生器

• 放大器

• 缓冲区

• 压电换能器驱动程序

• 通用线路驱动器

• 逻辑电平接口

• 医学超声的应用程序

典型应用电路