ON Semiconductor FGB40T65SP_F085 650V 40A Field Stop Trench IGBT的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-28

摘要： ON Semiconductor FGB40T65SP_F085 650V 40A场停止沟槽IGBT采用了新颖的第三代场停止IGBT技术，在低导通损耗和开关损耗的情况下提供了最佳性能。IGBT可用于各种应用的高效率操作，同时提供50V更高的...

ON Semiconductor FGB40T65SP_F085 650V 40A场停止沟槽IGBT采用了新颖的第三代场停止IGBT技术，在低导通损耗和开关损耗的情况下提供了最佳性能。IGBT可用于各种应用的高效率操作，同时提供50V更高的阻塞电压和坚固的大电流开关可靠性。该FGB40T65SP_F085在并行运行中也提供了出色的性能。

特性

AEC-Q101合格
低饱和电压:V(CE(sat)) = 2.0V(Typ.) @ l(C) = 40A
100%的零件都经过了动态测试
短路强度;5μs @ 25°C
最大结温:Tj = 175°C
快速切换
严格的参数分布
正温度系数，便于并联运行
配有软、快速恢复二极管
通过无铅认证

应用程序

车载充电器
空调压缩机
PTC加热器
电机驱动程序
其他汽车动力系统及辅助应用

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