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SiC功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-27

摘要： 功率MOSFET降低开关损耗，最大限度地减少栅极振铃。该MOSFET提高了系统的开关频率，适用于快速开关器件。C3M0065100J MOSFET包括典型的13ns的开关和接通延迟时间。这MOSFET操作温度范围从-55°C到150°C。该...

功率MOSFET降低开关损耗，最大限度地减少栅极振铃。该MOSFET提高了系统的开关频率，适用于快速开关器件。C3M0065100J MOSFET包括典型的13ns的开关和接通延迟时间。这MOSFET操作温度范围从-55°C到150°C。该C3M0065100J SiC MOSFET提供连续漏极电流(I (d) of 35A, V (DS)为1kV, 65毫欧R (DS(on))和35nC Q (g).这种MOSFET具有较高的系统效率和增加功率密度。

特性

高阻塞电压，低导通电阻
低反向恢复快速本征二极管(Qrr)
60pF低输出电容
C3MSiC MOSFET技术

低寄生电感，单独的驱动源引脚
漏极到源极之间漏电距离7mm
无卤素，符合RoHS要求

应用程序

可再生能源
电动汽车电池充电器

高压直流/直流转换器
开关式电源

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