东芝DTMOSIV系列mosfet的介绍、特性、及应用 - 华强商城

电子元器件产业互联网平台

焦点资讯商城动态独家观点业界资讯行情分析

技术方案 DataSheet 传感器连接器

国内展会商城促销视频

原厂资讯原厂专区合作入驻

您所在的位置：首页 > 技术资料 > 技术方案 > 东芝DTMOSIV系列mosfet的介绍、特性、及应用

Semiconductors

东芝DTMOSIV系列mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-27

摘要： 东芝DTMOSIV mosfet采用了最先进的单外延工艺，与其前身DTMOSIII相比，可减少30%的R(DS(on))，这是mosfet的优点(FOM)数值。通过减少R(DS(on))，它可以在相同的封装中放置较低的R(DS(on))芯片...

东芝DTMOSIV mosfet采用了最先进的单外延工艺，与其前身DTMOSIII相比，可减少30%的R(DS(on))，这是mosfet的优点(FOM)数值。通过减少R(DS(on))，它可以在相同的封装中放置较低的R(DS(on))芯片。这有助于提高效率和减少电源体积。这些器件非常适合与开关稳压器一起使用。

特性

漏源极低导通电阻
易于控制门开关
比上一代减少了30%的R(DS(ON))
最高的效率开关电源
减少C (oss)
包选项包括DPAK, IPAK, D2PAK, 8mm x 8mm DFN, I(2)PAK, TO-220, TO-220SIS, TO-247, TO-3P(N)和TO-3P(L)

应用程序

开关模式电源(SMPS)
照明

功率因数控制(PFC)
工业应用(包括UPS)

框图

产品选择指南

东芝分立设备包系列
东芝场效电晶体
东芝小型信号和逻辑设备

东芝小信号半导体
东芝U-MOSIX/U-MOSVIII系列低压mosfet

应用笔记

双极晶体管:电特性
双极晶体管:最大额定值
双极晶体管:条款
双极晶体管:热稳定性和设计
计算分立半导体器件的温度
MOSFET安全操作区域降额
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第1部分
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第2部分
离散半导体器件热设计的提示和技巧:第3部分
绝缘栅双极晶体管
dv/dt速率对mosfet的影响
场效应晶体管雪崩强度
MOSFET栅驱动电路
MOSFET并联(并联功率MOSFET之间的寄生振荡)
MOSFET Self-Turn-On现象
功率场效应管的寄生振荡和振铃
功率mosfet:最大额定值

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

上一篇：Power integration RDK-531参考设计工具包的介绍、特性、及应用

下一篇：德州仪器TPS61178x集成同步升压转换器的介绍、特性、及应用

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线：400-830-6691 粤ICP备05106676号经营许可证：粤B2-20210308