ON Semiconductor屏蔽栅，PowerTrench mosfet是使用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench 工艺开发的100V n通道MV mosfet。这些mosfet最大限度地减少了通态电阻(RDSON)和反向恢复电荷(Qrr)，以提供卓越的开关性能和效率。小的栅极电荷(QG)，小的反向恢复电荷(Qrr)和优点数字(FOM)确保同步整流应用的快速切换。这些设备几乎没有电压超调，降低电压振铃，并降低EMI，应用需要100v额定MOSFET，如电源和电机驱动器。此外，这些MOSFET增加的功率密度允许更宽的MOSFET降级。这些设备都经过了100%的UIL测试，并且在MSL1健壮的封装设计中可用。

特性

• 屏蔽栅MOSFET技术

• Qrr比其他MOSFET供应商低50%

• 最大限度地减少振铃

• 消除了缓冲器

• 低irm降低EMI

• 更好的高效快速切换

• 一流的P通道和n通道技术

• 高操作温度

• MSL1稳健的包装设计

• 100% UIL测试

• 通过无铅认证

应用程序

• 主直流-直流场效应晶体管

• 直流-直流和交直流同步整流器

• 马达驱动

• 电力供应

• 太阳能

计划大纲