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Micro commercial component p通道mosfet的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-27

摘要： MCC p通道中功率MOSFET具有先进的沟槽MOSFET工艺技术。mosfet有多种表面安装包，包括SOT、DFN、SOP和Dpak。p通道mosfet的低导通电阻(RDS)范围为0.013-0.52欧姆，高电压版本可达800V

Micro commercial component p通道中功率MOSFET具有先进的沟槽MOSFET工艺技术。mosfet有多种表面安装包，包括SOT、DFN、SOP和Dpak。p通道mosfet的低导通电阻(RDS)范围为0.013-0.52欧姆，高电压版本可达800V。p通道中功率mosfet的工作和存储温度为-55℃~ +150℃。

特性

低导通电阻R (DS(上))
环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
湿度敏感性1级

工作温度:-55°C ~ +150°C
存储温度:-55℃~ +150℃

应用程序

消费者
照明

家电
工业

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