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罗姆半导体SiC肖特基势垒二极管的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-04-27

摘要: 罗姆半导体 SiC(碳化硅)肖特基势垒二极管具有低总电容(Q (c)降低开关损耗,实现高速开关操作。此外,与硅基快速恢复二极管(trr随温度升高而增加)不同,碳化硅器件保持恒定的特性,从而获得更好的性能。这使得它们成为各种应用的关键设...

罗姆半导体 SiC(碳化硅)肖特基势垒二极管具有低总电容(Q (c)降低开关损耗,实现高速开关操作。此外,与硅基快速恢复二极管(trr随温度升高而增加)不同,碳化硅器件保持恒定的特性,从而获得更好的性能。这使得它们成为各种应用的关键设备,包括电动汽车和太阳能发电机的逆变器和充电器的理想选择。

提供多种封装类型,以适应不同的电流和功耗要求,如to -247, to - 220fm和to - 220acp。


特性

  • 低开关损耗
  • 较短的恢复时间
  • 降低的温度依赖性
  • 高速开关

应用程序

  • 开关式电源
  • 太阳能逆变器
  • 联合包裹
  • 电动汽车充电器
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