ON半导体FAN8811T高侧和低侧栅驱动IC的介绍、特性、及应用
摘要:
ON Semiconductor FAN8811T高侧和低侧栅驱动IC是专为高压、高速、驱动mosfet工作到100V而设计的高侧和低侧栅驱动IC。FAN8811集成了驱动芯片和自举二极管。驱动电路具有低延迟时间和匹配PWM输入传播延迟的特...
ON Semiconductor FAN8811T高侧和低侧栅驱动IC是专为高压、高速、驱动mosfet工作到100V而设计的高侧和低侧栅驱动IC。FAN8811集成了驱动芯片和自举二极管。驱动电路具有低延迟时间和匹配PWM输入传播延迟的特点,进一步提高了器件的性能。高速双栅驱动设计为半桥式或同步降压结构驱动n沟道mosfet的高侧和低侧。
特性
- 驱动两个n沟道mosfet在高&低端
- 用于高侧栅驱动的集成自举二极管
- 自举供电电压范围可达118V
- 3A源,6A汇聚输出电流能力
- 驱动1nF负载,典型的升降时间为6ns/4ns
- TTL兼容输入阈值
- 宽电源电压范围8-16V(绝对最大18V)
- 快速传播延迟时间(类型为30ns)
- 2ns延迟匹配(典型)
- 驱动电压欠压锁定(UVLO)保护
- 工作结温度范围-40°C到125°C的典型
应用程序
- 电信和数据通信电源
- 半桥和全桥转换器
- Synchronous-Buck转换器
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