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东芝SSM6低通阻MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-27

摘要： 具有高速开关的东芝SSM6低导阻mosfet既可作为电源管理开关，也可作为模拟开关。这些mosfet提供非常低的通阻，低到1.1毫欧到115欧姆的最大值，为不同的门源电压范围。SSM6 mosfet可在具有表面贴装兼容性的小剖面包。这些mos...

具有高速开关的东芝SSM6低导阻mosfet既可作为电源管理开关，也可作为模拟开关。这些mosfet提供非常低的通阻，低到1.1毫欧到115欧姆的最大值，为不同的门源电压范围。SSM6 mosfet可在具有表面贴装兼容性的小剖面包。这些mosfet提供了一个低漏源通阻，并作为直流到直流转换器工作。SSM6 mosfet驱动最小1.2V到最大4.5V栅极电压。这些mosfet提供更少的漏极功率耗散高达150mW，产生更少的热量。SM66 mosfet工作在12V到100V输入电压范围。

特性

1.5V到4.5V栅源驱动电压
低导通电阻
少漏功率耗散
有四个不同的包装
- TSOP6F
- UDFN6B
- ES6
- US6

规范

12V至100V输入漏极至源极电压
存储温度范围为-55℃~ 150℃
1.1毫欧到115毫欧导通电阻
150mW漏极耗散功率
5.5ns上升时间和2ns下降时间

应用程序

高速开关应用
电源管理和模拟交换机
低通电阻的DC-DC变换器

包装,引脚分配

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