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Vishay Semiconductors SIC621CD 60A VRPower Integrated Power Stage的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-27

摘要： Vishay SIC621CD 60A VRPower 集成功率级提供高电流、高效率和高功率密度性能。SIC621CD允许电压调整器设计，提供高达60A的连续电流每相。SIC621CD利用最先进的第四代沟槽fet技术，显著降低了开关和导通...

Vishay SIC621CD 60A VRPower 集成功率级提供高电流、高效率和高功率密度性能。SIC621CD允许电压调整器设计，提供高达60A的连续电流每相。SIC621CD利用最先进的第四代沟槽fet技术，显著降低了开关和导通损失。

SIC621CD结合了零电流检测以提高轻载效率，集成自举肖特基二极管，自适应死区控制，以及具有高电流驱动能力的先进MOSFET栅驱动IC。

特性

热增强PowerPAK MLP55-31L包
Vishay的Gen IV MOSFET技术和集成肖特基二极管的低侧MOSFET
提供高达60A的连续电流
高效的性能
高频操作高达2MHz

功率mosfet优化为12V输入级
具有三态和延时的5V PWM逻辑
支持PS4模式轻载要求，IMVP8低关机供电电流(5V, 5μA)
V(CIN)欠电压锁定

应用程序

用于计算、显卡和存储器的多相VRDs
英特尔IMVP-8 VRPower交付
V(核心)、V(图形)、V(系统)(代理)Skylake、Kabylake平台

V(CCGI)为阿波罗湖平台
高达18V轨输入DC/DC VR模块

典型的应用程序图

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