东芝半导体功率场效应晶体管的介绍、特性、及应用 - 华强商城

电子元器件产业互联网平台

焦点资讯商城动态独家观点业界资讯行情分析

技术方案 DataSheet 传感器连接器

国内展会商城促销视频

原厂资讯原厂专区合作入驻

您所在的位置：首页 > 技术资料 > 技术方案 > 东芝半导体功率场效应晶体管的介绍、特性、及应用

Semiconductors

东芝半导体功率场效应晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-27

摘要： 东芝半功率mosfet采用先进技术设计，实现低R (在)特征。半功率mosfet非常紧凑和薄，2×2mm和2.9×2.8mm，为电池供电设备如智能手机和可穿戴设备提供低损耗和紧凑尺寸的mosfet。半功率mosfet的低R(ON)特性降低了...

东芝半功率mosfet采用先进技术设计，实现低R (在)特征。半功率mosfet非常紧凑和薄，2×2mm和2.9×2.8mm，为电池供电设备如智能手机和可穿戴设备提供低损耗和紧凑尺寸的mosfet。

半功率mosfet的低R(ON)特性降低了散热设计的负担。采用了先进的沟槽工艺，使电池结构小型化，从而降低了R(ON)。沟槽处理Pch7和Nch9，减少了高达70%的单位面积导通电阻，减少了传导损耗。

这些器件有助于在低损耗开关应用中节约能源，如电源管理和高速开关。半功率mosfet是物联网设备和移动设备的理想选择。

特性

低导通电阻:12 ~ 105毫欧@4.5V
宽电压等级阵容:V(DSS)=-20至100V

通道温度:150°C
漏极功耗:500mW ~ 1W

应用程序

开关电源管理
高速开关

物联网设备
移动设备

罗恩·图

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

上一篇：DST系列肖特基势垒整流器的介绍、特性、及应用

下一篇：SparkFun Breakout Boards的介绍、特性、及应用

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线：400-830-6691 粤ICP备05106676号经营许可证：粤B2-20210308