Diodes Incorporated DGD半桥栅极驱动是高电压和高速栅极驱动，能够在半桥结构中驱动n通道mosfet和igbt。高压处理技术使高侧能在自举操作中切换到偏置电压。DGD逻辑输入兼容标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)，方便与控制设备接口。包含栅极驱动器的二极管是理想的DC-DC变换器，DC-AC逆变器，AC-DC电源，电机控制，和D类功率放大器。

特性

• 浮动高侧驱动器自举操作到100V

• 驱动两个n通道mosfet或igbt的半桥结构

• 290mA源/ 600mA汇聚输出电流能力

• 输出容错到负瞬态

• 430ns的内部死区时间，以保护mosfet

• 宽侧低栅极驱动电源电压:10V ~ 20V

• 逻辑输入(HIN和LIN*) 3.3V能力

• V(CC)欠压锁定(逻辑和低侧电源)

• 施密特触发了逻辑输入

• 扩展温度范围:-40°C至+125°C

• 完全无铅，符合RoHS要求

• 卤素和antimony-free

应用程序

• 直流-直流转换器

• 直粱逆变器

• 交直流电源

• 电机控制

• D类功率放大器