意法半导体L638xE & L639x门驱动的介绍、特性、及应用
摘要:
L638xE和L639x栅极驱动是用于n通道功率MOSFET或IGBT的单片半桥栅极驱动。L638xE和L639x是采用BCD “离线”技术制造的高压设备。这些高压栅极驱动器设计承受高达600V的高压轨在高侧(浮动)部分。L638xE和L6...
L638xE和L639x栅极驱动是用于n通道功率MOSFET或IGBT的单片半桥栅极驱动。L638xE和L639x是采用BCD“离线”技术制造的高压设备。这些高压栅极驱动器设计承受高达600V的高压轨在高侧(浮动)部分。L638xE和L639x门驱动逻辑输入为CMOS或TTL兼容,以简化与控制设备的接口。这些L638xE门驱动程序可在DIP-8、SO-8、DIP-14和SO-14管包中使用。L639x栅极驱动程序有SO-8、SO-14管和SO-16管封装选项。
特性
- L638xE:
- 高电压导轨高达600V
- 在全温度范围内dV/dt免疫±50V/nsec
- 司机目前能力:
- 开关时间50/30nsec (L6385E和L6387E)升降1nF负载
- 开关次数70/40nsec (L6389E和L6388E)升降1nF负载
- 带有迟滞和下拉的CMOS/TTL施密特触发器输入
- 下、上驱动部分的欠电压锁定
- 内部自举二极管
- 输出与输入相对应
- L639x:
- 高电压导轨高达600V
- 在全温度范围内dV/dt免疫±50V/ns
- 司机目前能力:
- 开关次数在1nF负载下75/35ns的升降
- 3.3V, 5V TTL/CMOS输入带迟滞
- 综合自举二极管
- 紧凑和简化的布局
- 物料减量清单
- 有效的故障保护
- 灵活、简单、快速的设计
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