台湾半导体TSM3N90 900V n通道功率场效应晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-26

摘要： 台湾半导体tsm3n90900v n通道功率场效应晶体管采用一种新的先进平面工艺生产。这种先进的技术是专为减少通态电阻和提供优越的开关性能而设计的。mosfet能承受雪崩和换流模式下的高能量脉冲。TSM3N90高压平面mosfet最适合于开...

台湾半导体tsm3n90900v n通道功率场效应晶体管采用一种新的先进平面工艺生产。这种先进的技术是专为减少通态电阻和提供优越的开关性能而设计的。mosfet能承受雪崩和换流模式下的高能量脉冲。TSM3N90高压平面mosfet最适合于开关速度较低、EMI、电压峰值和噪声降低的应用。高压平面场效应晶体管也比其他高压场效应晶体管固有的更坚固。TSM3N90在电压击穿和雪崩条件下提供更高的可靠性。典型的工业应用包括工业设备和仪器仪表、电表和照明应用。