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Wolfspeed 碳化硅功率MOSFET C3M0065100K的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-26

摘要： Wolfspeed C3M0065100K碳化硅(SiC)功率MOSFET具有1kV的优化封装，适合于快速开关器件。C3M0065100K提供了一个增强的四引脚到247-4包，具有开尔文门连接。开尔文源设计显著降低了开关损耗和栅极振铃。该器...

Wolfspeed C3M0065100K碳化硅(SiC)功率MOSFET具有1kV的优化封装，适合于快速开关器件。C3M0065100K提供了一个增强的四引脚到247-4包，具有开尔文门连接。开尔文源设计显著降低了开关损耗和栅极振铃。该器件针对电动汽车充电系统和三相工业电源进行了优化，1kV, 65毫欧，具有低导阻，低输出电容和低源电感。

特性

C3MSiC MOSFET技术
n沟道增强型
开尔文门源引脚减少损耗和振铃
漏极到源端爬电距离8mm

高阻塞电压，低导通电阻
低电容的高速开关
快速本征二极管，低反向恢复
无卤素，符合RoHS要求

应用程序

可再生能源
电动汽车电池充电器

高压直流-直流转换器
开关式电源

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