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台湾半导体600V n道功率场效应晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-26

摘要： 台湾半导体600V n通道功率mosfet是具有小漏源电阻(R (DS ))。这些600V的mosfet采用了超级结技术。600V n通道功率mosfet为100% ui和R (g)经过测试，符合RoHS要求，无卤素。应用范围包括PFC级...

台湾半导体600V n通道功率mosfet是具有小漏源电阻(R (DS ))。这些600V的mosfet采用了超级结技术。600V n通道功率mosfet为100% ui和R (g)经过测试，符合RoHS要求，无卤素。应用范围包括PFC级、服务器/电信电源、充电站、逆变器和电源。

特性

Super-junction技术
高性能，小R(DS(ON))Q(g)值(FOM)
高强度性能
100%的ui和R(g)测试

符合RoHS指令2011/65/EU和WEEE 2002/96/EC
无卤素符合IEC 61249-2-21

应用程序

PFC阶段
服务器/电信电源
充电站

逆变器
电力供应

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