Diodes Incorporated FET LNA偏置控制器具有可编程耗尽模式，专为卫星低噪声块(LNBs)设计。这些控制器提供了可编程的灵活性，可偏压多达4个(ZABG4003)或6个(ZABG6003/ZABG6004)低噪声放大器(LNA)级，使它们成为低功率设计的理想选择。ZABG4003/6003/6004系列偏置控制器在最小电流只有1mA的情况下工作，可以在2.1V到5.5V的供电电压下工作。小封装和减少元件数量使PCB面积最小化，同时提高整体LNB的可靠性。

特性

• 为GaAs和HEMT FET LNAs提供最多4或6个独立偏压阶段

• 独立的用户可编程漏电流的LNAs和有源混频器

• 在-40°C到+105°C的范围内运行2.1V到5.5V的导轨

• 专为3V/3.3V/5V低功率lnb设计

• 在智能LNB系统中，允许对fet被关闭

• 最小的应用电路，同时允许系统的灵活性

• 封装在3x3mm的QFN封装中，为最小的PCB空间提供了标准的QSOP20

应用程序

• 双胞胎lnb

• 四lnb

• 美国市场lnb

• PMR

• 微波的链接

• 一般高频通信