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Semtech ESD解决方案的USB 3.0的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-04-25

摘要: Semtech ESD解决方案用于USB 3.0保护高速3.0数据线免受ESD、EFT和电缆放电事件等频繁威胁。USB 3.0 ic需要最先进的瞬态电压抑制(TVS)保护解决方案。这些解决方案可以阻止危险的快速上升时间瞬态威胁,同时也提供足...

Semtech ESD解决方案用于USB 3.0保护高速3.0数据线免受ESD、EFT和电缆放电事件等频繁威胁。USB 3.0 ic需要最先进的瞬态电压抑制(TVS)保护解决方案。这些解决方案可以阻止危险的快速上升时间瞬态威胁,同时也提供足够低的结电容,不会对信号完整性产生不利影响。

特性

  • RClamp3521P
    • 数据线路的瞬态保护
    • IEC 61000-4-2 (ESD)±17kV(空气),±12kV(触点)
    • IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (tp = 5/50ns)
    • 电缆放电事件(CDE)
    • 超小的包(1 x0.6x0.5mm)
    • 保护一条数据或I/O线
    • 低电容:0.40 pf
    • 动态电阻:0.47欧姆典型
    • 低ESD箝位电压
    • 工作电压:3.5 v
    • 固态硅雪崩技术
  • RClamp3324便士
    • 3.3 v工作电压
    • 保护四行
    • 17±kv /±20 kv空气接触
    • 动态电阻:0.15欧姆
    • 低电容:0.65pF I/O到I/O
    • 材料包(2.5 x1.0x0.60mm)
  • RClamp3331ZA
    • 耐静电高电压:+/-18kV(接触/空气)按IEC 61000-4-2
    • 能够承受超过1000的静电冲击
    • 4级
    • 超0201包
    • 保护一条高速数据线
    • 工作电压:±3.3V
    • 低电容:典型0.35pF
    • 极低动态电阻:0.20欧姆(Typ)
    • 低ESD箝位电压
    • 固态硅雪崩技术
  • RClamp3346便士
    • 3.3 v工作电压
    • 保护六行
    • 17±kv /±20 kv空气接触
    • 动态电阻:0.15欧姆
    • 低电容:0.65pF I/O到I/O
    • 材料包(2.7 x0.8x0.50mm)
  • RClamp3552吨
    • 3.5 v工作电压
    • 保护两行
    • 17±kv /±20 kv空气接触
    • 动态电阻:0.3欧姆
    • 低电容:0.4pF I/O到I/O
    • 材料包(1.0 x0.6x0.50mm)
  • RClamp0561Z
    • 耐ESD高电压
    • IEC 61000-4-2 (ESD) 15kV(空气),12kV(触点)
    • 超低电容:典型0.12pF
    • 非常小的PCB面积
    • 保护一条高速数据线
    • 工作电压:5.5 v
    • 低反向泄漏电流:VR=5.5V时最大50nA
    • 低插入损耗:在5GHz时0.15dB(典型)
    • 工作带宽大:17.5GHz
    • 固态硅雪崩技术
  • RClamp7524T
    • IEC 61000-4-2 (ESD)±30kV(空气)、±25kV(接触)IEC 61000-4-5(雷电)5A(8/20μs)
    • IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
    • 为高速线路优化的包装设计
    • 材料设计
    • 保护四条高速线路
    • 低电容:最大0.60pF (I/O对地)
    • 低ESD箝位电压
    • 低动态电阻:0.50欧姆(Typ)
    • 固态硅雪崩技术

框图



概述


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