Semtech ESD解决方案的USB 3.0的介绍、特性、及应用
摘要:
Semtech ESD解决方案用于USB 3.0保护高速3.0数据线免受ESD、EFT和电缆放电事件等频繁威胁。USB 3.0 ic需要最先进的瞬态电压抑制(TVS)保护解决方案。这些解决方案可以阻止危险的快速上升时间瞬态威胁,同时也提供足...
Semtech ESD解决方案用于USB 3.0保护高速3.0数据线免受ESD、EFT和电缆放电事件等频繁威胁。USB 3.0 ic需要最先进的瞬态电压抑制(TVS)保护解决方案。这些解决方案可以阻止危险的快速上升时间瞬态威胁,同时也提供足够低的结电容,不会对信号完整性产生不利影响。
特性
- RClamp3521P
- 数据线路的瞬态保护
- IEC 61000-4-2 (ESD)±17kV(空气),±12kV(触点)
- IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (tp = 5/50ns)
- 电缆放电事件(CDE)
- 超小的包(1 x0.6x0.5mm)
- 保护一条数据或I/O线
- 低电容:0.40 pf
- 动态电阻:0.47欧姆典型
- 低ESD箝位电压
- 工作电压:3.5 v
- 固态硅雪崩技术
- RClamp3324便士
- 3.3 v工作电压
- 保护四行
- 17±kv /±20 kv空气接触
- 动态电阻:0.15欧姆
- 低电容:0.65pF I/O到I/O
- 材料包(2.5 x1.0x0.60mm)
- RClamp3331ZA
- 耐静电高电压:+/-18kV(接触/空气)按IEC 61000-4-2
- 能够承受超过1000的静电冲击
- 4级
- 超0201包
- 保护一条高速数据线
- 工作电压:±3.3V
- 低电容:典型0.35pF
- 极低动态电阻:0.20欧姆(Typ)
- 低ESD箝位电压
- 固态硅雪崩技术
- RClamp3346便士
- 3.3 v工作电压
- 保护六行
- 17±kv /±20 kv空气接触
- 动态电阻:0.15欧姆
- 低电容:0.65pF I/O到I/O
- 材料包(2.7 x0.8x0.50mm)
- RClamp3552吨
- 3.5 v工作电压
- 保护两行
- 17±kv /±20 kv空气接触
- 动态电阻:0.3欧姆
- 低电容:0.4pF I/O到I/O
- 材料包(1.0 x0.6x0.50mm)
- RClamp0561Z
- 耐ESD高电压
- IEC 61000-4-2 (ESD) 15kV(空气),12kV(触点)
- 超低电容:典型0.12pF
- 非常小的PCB面积
- 保护一条高速数据线
- 工作电压:5.5 v
- 低反向泄漏电流:VR=5.5V时最大50nA
- 低插入损耗:在5GHz时0.15dB(典型)
- 工作带宽大:17.5GHz
- 固态硅雪崩技术
- RClamp7524T
- IEC 61000-4-2 (ESD)±30kV(空气)、±25kV(接触)IEC 61000-4-5(雷电)5A(8/20μs)
- IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
- 为高速线路优化的包装设计
- 材料设计
- 保护四条高速线路
- 低电容:最大0.60pF (I/O对地)
- 低ESD箝位电压
- 低动态电阻:0.50欧姆(Typ)
- 固态硅雪崩技术
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