Vishay SiRA20DP n通道25V MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-25

摘要： Vishay SiRA20DP n通道25V MOSFET具有优化的总栅极电荷(Q (g))、闸门排水费(Q (gd)), Q (gd) / gate-source电荷(Q (gs))降低开关相关功率损耗的比率。SiRA20DP是Trenc...

Vishay SiRA20DP n通道25V MOSFET具有优化的总栅极电荷(Q (g))、闸门排水费(Q (gd)), Q (gd) / gate-source电荷(Q (gs))降低开关相关功率损耗的比率。SiRA20DP是TrenchFETGen IV设备，100% R (g)和用户界面测试。典型的应用包括同步整流，高功率密度DC/DC，同步降压变换器，OR-ing，负载开关和电池管理。

特性

TrenchFETGen IV功率MOSFET
优化后的Q(g)、Q(gd)和Q(gd)/Q(gs)比值降低了开关相关的功率损耗
100%测试了Rg和ui

应用程序

同步整流
高功率密度DC/DC
同步降压转换器
和ing
负荷开关
电池管理

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