Cypress Semiconductor FL-L NOR闪存族的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-25

摘要： Cypress FL-L NOR闪存系列使用65nm工艺光刻和浮栅技术。FL-L系列通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统。FL-L系列支持传统的SPI单位(单I/O或SIO)，以及可选的2位(双I/O或DIO)。此外，它还支持四位宽的Q...

Cypress FL-L NOR闪存系列使用65nm工艺光刻和浮栅技术。FL-L系列通过串行外设接口(SPI)连接到主机系统。FL-L系列支持传统的SPI单位(单I/O或SIO)，以及可选的2位(双I/O或DIO)。此外，它还支持四位宽的Quad I/O (QIO)和Quad外围接口(QPI)命令。

FL-L系列为QIO和QPI使用双数据速率(DDR)读命令，它在时钟的两端传输地址和读取数据。该体系结构提供了一个页面编程缓冲区，允许在一次操作中最多编程256个字节。该体系结构还提供了单独的4KB扇区、32KB半块、64KB块或整个芯片擦除。FL-L NOR Flash为各种移动或嵌入式应用程序提供了高密度、灵活性和快速性能。

闪存为空间、信号连接和电源有限的系统提供了优秀的存储解决方案。此外，闪存是理想的代码隐藏到RAM，直接执行代码(XIP)，并存储可重新编程的数据。

特性

串行外设接口(SPI)与多i /O
- 时钟极性和相位模式0和3
- 双数据速率(DDR)选项
- Quad外围接口(QPI)选项
- 扩展地址:24位或32位地址选项
- 串行命令子集和足迹兼容S25FL-A, S25FL1-K, S25FL-P, S25FL-S和S25FS-S SPI系列
- 多I/O命令子集和足迹兼容S25FL-P, S25FL-S和S25FS-S SPI家族
读
- 命令:正常，快速，双I/O, Quad I/O, DualO, QuadO, DDR Quad I/O
- 模式:Burst Wrap, Continuous (XIP)， QPI
- SFDP (Serial Flash Discoverable Parameters)，用于配置信息
程序架构
- 256字节的页面编程缓冲区3.0V FL-L闪存
- 程序暂停和恢复
消除架构
- 统一的4KB扇区擦除
- 统一的32KB半块擦除
- 统一的64KB块擦除
- 芯片擦除
- 删除暂停和恢复
100000年Program-Erase周期
典型的数据保存时间为20年
技术
- 65nm浮栅技术

安全特性
- 状态和配置寄存器保护
- 四个256字节的安全区域，每个区域位于主闪存阵列之外
- Legacy Block Protection:块范围
- 个体和区域保护
  - 单个块锁:不稳定的单个扇区/块
  - 指针区域:非易失性扇区/块范围
  - 安全区域2、3和指针区域的电源锁定、密码或永久保护
单电源电压CMOS I/O
- 2.7 v至3.6 v
温度范围
- 工业用(-40°C to +85°C)
- 工业+(-40°C to +105°C)
- 扩展(-40°C到+125°C)
- 汽车，AEC-Q100 3级(-40°C to +85°C)
- 汽车，AEC-Q100 2级(-40°C to +105°C)
- 汽车，AEC-Q100 1级(-40°C to +125°C)
包(所有Pb-free)
- 8引脚SOIC 208 mil (SOC008) -仅限S25FL128L
- WSON 5 x 6mm (WND008) -仅限S25FL128L
- WSON 6 x 8mm (WNG008) -仅限S25FL256L
- 16引脚SOIC 300 mil (SO3016) -仅限S25FL256L
BGA-24 6 x 8mm
- 5×5球(FAB024)的足迹
- 4×6球(FAC024)足迹

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