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松下PGA26E X-GaN功率晶体管的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-23

摘要： 松下PGA26E07BA和PGA26E19BA X-GaN功率晶体管是基于栅极注入晶体管(GiT)技术的600V氮化镓功率器件。PGA26E X-GaN功率器件提供正常关机操作，具有极高的高速开关特性和零恢复损耗。特性X-GaN晶体在6英寸...

松下PGA26E07BA和PGA26E19BA X-GaN功率晶体管是基于栅极注入晶体管(GiT)技术的600V氮化镓功率器件。PGA26E X-GaN功率器件提供正常关机操作，具有极高的高速开关特性和零恢复损耗。

特性

X-GaN晶体在6英寸硅衬底上的生长
600V增强模式电源开关
通过专有的栅极注入晶体管(GIT)技术，使用单个X-GaN器件正常关闭操作

极高速开关特性
零恢复损耗特性

规范

600V漏源极电压(V(DS))
R (DS ):
- PGA26E07BA: 56 毫欧
- PGA26E19BA: 140欧姆
漏极电流(I (D)):
- PGA26E07BA: 26
- PGA26E19BA: 13

门主管(Q (g)):
- PGA26E07BA: 5数控
- PGA26E19BA: 2数控

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