Vishay Siliconix SiHP065N60E 600V E系列功率mosfet基于Vishay最新的节能E系列超级结技术。E系列功率mosfet提供较低的栅极充电时间通阻。SiHP065N60E的超低导通电阻比以前的600V E系列低30%，同时提供44%的低栅极电荷，这减少了传导和开关损耗，节省能源。SiHP065N60E提供高效率的电源应用，如电信，企业和工业。在功率应用方面，它的性能值(FOM)比同类最接近的MOSFET低25%。Vishay Siliconix SiHP065N60E 600V E系列设计为在雪崩模式下承受过电压瞬变，通过100%无钳位感应开关(ui)测试，保证极限。SiHP065N60E mosfet提供符合rohs标准，无卤素到220ab包。