罗姆半导体碳化硅(SiC)功率器件的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-23

摘要： ROHM半导体SiC功率器件具有常规硅溶液10倍的介电击穿场强度，3倍的带隙，3倍的导热系数。这意味着更低的开关损耗，更低的通阻，并支持高温操作，使其有可能最小化功率损耗和模块尺寸。SiC还允许设计师使用更少的组件，进一步降低设计的复杂性。...

ROHM半导体SiC功率器件具有常规硅溶液10倍的介电击穿场强度，3倍的带隙，3倍的导热系数。这意味着更低的开关损耗，更低的通阻，并支持高温操作，使其有可能最小化功率损耗和模块尺寸。SiC还允许设计师使用更少的组件，进一步降低设计的复杂性。

特性

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