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Wolfspeed / Cree CGHV50200F GaN HEMT的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-23

摘要： Wolfspeed CGHV50200F 200W氮化镓HEMT(高电子迁移率晶体管)是卫星通信应用的理想选择，如对流层散射通信和超场边线(BLOS)。为了方便使用，CGHV50200F GaN HEMT匹配到50欧姆。它适用于连续波(CW)...

Wolfspeed CGHV50200F 200W氮化镓HEMT(高电子迁移率晶体管)是卫星通信应用的理想选择，如对流层散射通信和超场边线(BLOS)。为了方便使用，CGHV50200F GaN HEMT匹配到50欧姆。它适用于连续波(CW)、脉冲和线性模式的功率放大器操作。该装置采用440217型陶瓷/金属法兰封装。

Wolfspeed GaN(镓氮化)HEMT(高电子迁移率晶体管)提供高效率、高增益和宽带宽能力。与传统的硅(Si)和砷化镓(GaAs)器件相比，这些器件具有更高的击穿电压、更高的工作温度、更高的效率、更高的导热系数、更高的功率密度和更宽的带宽。

特性

200W峰值功率输出
功率增益:13分贝
频率范围:4.4GHz ~ 5.0GHz
排水效率:65%

典型功率(PSAT): 180W
功率增加效率(PAE): 33%
50欧姆内部匹配

应用程序

对流层散射通信
视线以外(BLOS)

4.4GHz至5.0GHz c波段卫星通信应用

CGHV50200F-AMP

CGHV50200F-AMP测试夹具为CGHV50200F GaN HEMT提供了一个评价平台和参考设计。测试夹具包括CGHV50200F装置。

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