碳化硅功率MOSFET的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-23

摘要： 碳化硅功率MOSFET具有1kV的优化封装，适合于快速开关器件。C3M0120100K增强四引线到247-4封装提供更低的开关损耗，由于开尔文门连接，最小的门电路振铃。这增加了爬电距离，以最好地支持这些高电压分立设备的运行。针对电动汽车充电...

碳化硅功率MOSFET具有1kV的优化封装，适合于快速开关器件。C3M0120100K增强四引线到247-4封装提供更低的开关损耗，由于开尔文门连接，最小的门电路振铃。这增加了爬电距离，以最好地支持这些高电压分立设备的运行。针对电动汽车充电系统和三相工业电源进行了优化，通过提供独特的设备，1kV设备解决了许多电力设计挑战。C3M0120100K具有低导通电阻、极低输出电容和低源电感，可以完美地混合低开关损耗和低导损耗。

特性

C3M平面MOSFET技术
n沟道增强型
在整个工作温度范围内最小为1kV Vbr(无需降额)
低源电感封装，单独的驱动源引脚
漏电/漏源与漏源之间的间隙为8mm
高速开关，输出电容低
高阻塞电压低RDS(on)
雪崩强度

应用程序

可再生能源
电动汽车电池充电器
高压DC/DC变换器
开关式电源

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