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罗门半导体RBRxx30ATL肖特基势垒二极管的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2021-04-23

摘要: ROHM半导体RBRxx30ATL肖特基势垒二极管是阴极通用双型低V(F)二极管,具有30V反向直流电压(V(R))。这些二极管采用硅外延平面型结构制造,采用TO-263S (D(2)PAK)或TO-252 (DPAK)封装。RBRxx60...

ROHM半导体RBRxx30ATL肖特基势垒二极管是阴极通用双型低V(F)二极管,具有30V反向直流电压(V(R))。这些二极管采用硅外延平面型结构制造,采用TO-263S (D(2)PAK)或TO-252 (DPAK)封装。RBRxx60ANZ阻隔二极管提供低V(F),高可靠性,工作在-55°C到150°C的温度范围。这些肖特基势垒二极管非常适合于开关电源和一般整流。


特性

  • V(F)低,可靠性高
  • 30V反向直流电压(V(R))
  • 阴极共双型
  • 硅外延平面型结构
  • to -263 (D(2)PAK)或TO-252 (DPAK)包
  • -55°C至150°C的温度范围

应用程序

  • 开关电源
  • 一般整流
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