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IBM推出全球首个2纳米芯片技术,为半导体开辟了新的领域

出处 :HQBUY 发布时间 : 2021-05-10 关键词: 2纳米芯片 阅读 :

摘要:IBM通过开发世界上第一个采用2纳米(nm)纳米片技术的芯片,在半导体设计和工艺上取得了突破。半导体在从计算,设备到通信设备,运输系统和关键基础设施等所有领域中都扮演着至关重要的角色。

IBM通过开发世界上第一个采用2纳米(nm)纳米片技术的芯片,在半导体设计和工艺上取得了突破。半导体在从计算,设备到通信设备,运输系统和关键基础设施等所有领域中都扮演着至关重要的角色。



对提高芯片性能和能效的需求持续增长,特别是在混合云,人工智能和物联网时代。IBM的新型2 nm芯片技术有助于满足半导体行业不断增长的需求,从而推动半导体行业的发展。与当今最先进的7 nm节点芯片相比,它预计将实现高出45%的性能或低75%的能耗。


这些先进的2 nm芯片的潜在优势可能包括:


手机电池寿命增加了三倍,仅要求用户每四天为设备充电一次。

削减数据中心的碳足迹,这些数据中心占全球能源使用量的百分之一。将其所有服务器更改为基于2 nm的处理器可能会大大减少该数量。

从更快地处理应用程序到更轻松地协助语言翻译以及更快地访问互联网,极大地加快了笔记本电脑的功能。

有助于自动驾驶汽车(例如自动驾驶汽车)中更快的物体检测和反应时间。



IBM研究部高级副总裁兼总监DaríoGil表示:“这种新型2 nm芯片所体现的IBM创新对整个半导体和IT行业至关重要。“这是IBM应对严峻技术挑战的方法的产物,并展示了持续投资和协作研发生态系统方法如何带来突破。”


最新的突破建立在IBM在半导体创新领域数十年的领导地位上。该公司的半导体开发工作基于其位于纽约州奥尔巴尼奥尔巴尼纳米技术园区的研究实验室,IBM科学家在该实验室与公共和私营部门合作伙伴密切合作,共同突破逻辑扩展和半导体功能的界限。



IBM的半导体突破性遗产还包括首次实现7 nm和5 nm工艺技术,单单元DRAM,Dennard缩放定律,化学放大的光致抗蚀剂,铜互连布线,绝缘体上硅技术,多核微处理器,高k栅极电介质,嵌入式DRAM和3D芯片堆叠。IBM的第一项商业化产品(包括IBM Research 7 nm的先进技术)将于今年晚些时候在基于IBM POWER10的IBM Power Systems中首次亮相。


 

指甲大小的芯片上有500亿个晶体管


每个芯片中晶体管数量的增加可以使它们更小,更快,更可靠和更高效。2 nm设计展示了使用IBM的纳米片技术对半导体进行高级缩放的过程。其架构是业界首创的。在IBM宣布其具有里程碑意义的5 nm设计之后不到四年的时间,这项最新突破将使2 nm芯片能够在指甲大小的芯片上容纳多达500亿个晶体管。


芯片上更多的晶体管也意味着处理器设计人员拥有更多的选择,可以注入内核级创新来提高AI和云计算等前沿工作负载的功能,以及硬件强制安全性和加密的新途径。IBM已经在最新一代的IBM硬件中实现了其他创新的核心级增强功能,例如IBM POWER10和IBM z15。