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砷化铟的研究为更小,更强大的电子学铺平了道路

来源:HQBUY 发布时间:2021-05-20

摘要: Skoltech的研究人员研究了砷化铟的电子特性,砷化铟目前广泛用于红外范围内的光电二极管,并被建议用作替代红外激光器和太赫兹振荡器的基础。该论文发表在《物理化学化学物理》杂志上。

Skoltech的研究人员研究了砷化铟的电子特性,砷化铟目前广泛用于红外范围内的光电二极管,并被建议用作替代红外激光器和太赫兹振荡器的基础。该论文发表在《物理化学化学物理》杂志上。



随着电子设备的不断缩小和性能的提高,工程师们越来越多地关注所谓的III–V化合物半导体。与常规硅相比,这些材料具有更高的电子传输性能,为克服当前的关键技术瓶颈(如电子设备性能及其小型化)提供了另一条途径。其中之一就是砷化铟(InAs),它具有极高的电子迁移率和载流子密度,这意味着它可以在低电源电压下更快地处理信号,从而提高了设备的计算效率。


“材料特性的研究需要对它的表面结构有详细的了解,取决于制造过程,样品的方向和外部效应,这些结构可能表现出各种各样的重构(在表面上有序),” Skoltech的研究科学家Anastasia Pervishko计算和数据密集型科学与工程中心(CDISE)也是该论文的合著者。


Pervishko和她的Skoltech同事Ivan Vrubel和Dmitry Yudin对InAs(111)表面的电子结构进行了全面的理论分析。他们能够表明,他们对某些化合物参数以及表面重建的评估与先前报道的实验结果一致。


“ InAs表面的一个有趣特征是近表面区域的自然电子积累,这使人们可以将其用作新型低维量子系统的平台。我们发现了稳定的表面构型,并且鉴于现有的实验见解,我们能够可以根据材料的方向来区分堆积层形成的起源。” Pervishko说。


她补充说,随着器件尺寸的减小,表面效应开始发挥关键作用,因此,对于后续的潜在应用,必须详细了解材料的表面结构和电荷分布。


“目前,我们只考虑研究干净的InAs表面。按照当前的科学趋势,我们需要了解与InAs表面原子层沉积有关的影响,” Pervishko总结道。


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