IR2110驱动器是一款由IR推出的桥式驱动集成电路芯片，它采用高度集成的电平转换技术 ，简化了逻辑电路对功率器件的控制要求 ，同时提高了驱动电路的可靠性。IR2110芯片兼有光耦隔离和电磁隔离的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选。小编将在下文为大家介绍IR2110驱动器芯片的中文资料，包括引脚图及功能，特点及作用，内部结构、工作原理、驱动电路图等。

典型的6管构成的三相桥式逆变器 ，采用 3片IR2110驱动 3个桥臂 ，仅需 1路 1 0V~ 2 0V电源。这样 ，在工程上大大减少了控制变压器体积和电源数目 ，降低了产品成本 ，提高了系统可靠性。在电源变换、马达调速等功率驱动领域中获得了广泛的应用。而在功率变换装置中，根据主电路的结构，起功率开关器件一般采用直接驱动和隔离驱动两种方式。

芯片ir2110的引脚图及功能说明

ir2110引脚图

ir2110引脚功能说明：

LO（引脚1）：低端输出

COM（引脚2）：公共端

Vcc（引脚3）：低端固定电源电压

Nc（引脚4）：空端

Vs（引脚5）：高端浮置电源偏移电压

VB（引脚6）：高端浮置电源电压

HO（引脚7）：高端输出

Nc（引脚8）：空端

VDD（引脚9）：逻辑电源电压

HIN（引脚10）：逻辑高端输入

SD（引脚11）：关断

LIN（引脚12）：逻辑低端输入

Vss（引脚13）：逻辑电路地电位端，其值可以为0V

Nc（引脚14）：空端

IR2110芯片有哪些特点？

（1）具有独立的低端和高端输入通道。

（2）悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达500V。

（3）输出的电源端（脚3）的电压范围为10—20V。

（4）逻辑电源的输入范围（脚9）5—15V，可方便的与TTL，CMOS电平相匹配，而且逻辑电源地和功率电源地之间允许有V的便移量。

（5）工作频率高，可达500KHz。

（6）开通、关断延迟小，分别为120ns和94ns。

（7）图腾柱输出峰值电流2A。

ir2110芯片在电路中可以起到什么样的作用？

IR2110是一种高端和低端驱动器,在 IGBT 驱动路中也相当于稳定输出作用。这高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出信 16 引脚 SOIC 内尔斯。专有的 HVIC 和锁存免疫 CMOS 技术使 14 引脚 PDIP。

IR2110坚固耐用的单片式结构。逻辑输入兼容 IR2110/IR2113,标准 CMOS 或 LSTTL 输出，下降到 3.3V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动器跨导。传播延迟相匹配，以简化在高频应用中使用。该浮动通道可用来驱动高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT 哪些工作频率高达 500 或 600 伏。

芯片ir2110的内部结构介绍

R2110的内部结构和工作原理框图如图所示。图中HIN和LIN为逆变桥中同一桥臂上下两个功率MOS的驱动脉冲信号输入端。SD为保护信号输入端，当该脚接高电平时，IR2110的输出信号全被封锁，其对应的输出端恒为低电平；而当该脚接低电平时，IR2110的输出信号跟随HIN和LIN而变化，在实际电路里，该端接用户的保护电路的输出。HO和LO是两路驱动信号输出端，驱动同一桥臂的MOSFET。

ir2110芯片的工作原理是怎样的？

IR2110内部功能由三部分组成：逻辑输入；电平平移及输出保护。如上所述IR2110的特点，可以为装置的设计带来许多方便。尤其是高端悬浮自举电源的设计，可以大大减少驱动电源的数目，即一组电源即可实现对上下端的控制。

IR2110高端侧悬浮驱动的自举原理是如何实现的？

IR2110驱动半桥的电路图如图所示，其中C1，VD1分别为自举电容和自举二极管，C2为VCC的滤波电容。假定在S1关断期间C1已经充到足够的电压（VC1 VCC）。  

当HIN为高电平时如图4.19 ：VM1开通，VM2关断，VC1加到S1的栅极和源极之间，C1通过VM1，Rg1和栅极和源极形成回路放电，这时C1就相当于一个电压源，从而使S1导通。由于LIN与HIN是一对互补输入信号，所以此时LIN为低电平，VM3关断，VM4导通，这时聚集在S2栅极和源极的电荷在芯片内部通过Rg2迅速对地放电，由于死区时间影响使S2在S1开通之前迅速关断。  

当HIN为低电平时如图4.20：VM1关断，VM2导通，这时聚集在S1栅极和源极的电荷在芯片内部通过Rg1迅速放电使S1关断。经过短暂的死区时间LIN为高电平，VM3导通，VM4关断使VCC经过Rg2和S2的栅极和源极形成回路，使S2开通。在此同时VCC经自举二极管，C1和S2形成回路，对C1进行充电，迅速为C1补充能量，如此循环反复。

IR2110驱动电路图，带电平箝位

针对IR2110的不足，对输出驱动电路进行了改进，可以采用在栅极限流电阻上反并联一个二极管，但在大功率的环境下不太明显。本文介绍的第一种方法就是下面如图所示电路。在关断期间将栅极驱动电平箝位到零电平。在桥臂上管开通期间驱动信号使Q1导通、Q2截止，正常驱动。上管关断期间，Q1截止，Q2栅极高电平，导通，将上管栅极电位拉到低电平（三极管的饱和压降）。这样，由于密勒效应产生的电流从Q2中流过，栅极驱动上的毛刺可以大大的减小。下管工作原理与上管完全相同，不再累述。

ir2110芯片有哪些封装？

ir2110芯片的封装形式有： IR2110 9312, IR2110-1 9312, IR2110-2 9312, IR2110S 9314