二极管工作原理：晶体二极管是由p型半导体和n型半导体形成的p-n结。在界面两侧形成空间电荷层，形成自建电场。当没有外加电压时，p-n结两侧载流子浓度差引起的扩散电流等于自建电场引起的漂移电流。当存在正向电压偏置时，外部电场和自建电场的相互抑制会增加载流子扩散电流，导致正向电流。当外部存在反向偏压时，外部电场和自建电场进一步增强，在一定的反向电压范围内形成与反向偏压无关的反向饱和电流I0。当施加的反向电压较高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值，导致载流子和大量电子空穴对的倍增过程，产生较大的反向击穿电流，称为二极管击穿现象。p-n结的反向击穿可分为齐纳击穿和雪崩击穿。

二极管的识别方法：a；用视觉方法判断半导体二极管的极性：一般情况下，在实物的电路图中，通过眼睛可以直接看到半导体二极管的正负极。在真实对象中，如果您看到负极在一端用颜色标记，正极在另一端标记。B用万用表（指针式表）判断半导体二极管的极性：通常选择万用表的欧姆档（R*100或R*1K），然后将万用表的两个表笔分别连接到二极管的两极。二极管接通时，测得的电阻很小（通常在几十欧姆到几千欧姆之间）。此时，黑色探针连接到二极管的正极，红色探针连接到二极管的负极。当测得的电阻较大（通常为数百至数千欧姆）时，黑色表笔连接到二极管的负极，红色表笔连接到二极管的正极。C测试注意事项：使用数字式万用表测量二极管时，红色表笔连接二极管正极，黑色表笔连接二极管负极。此时，测得的电阻是二极管的正导通电阻，与指针式万用表的探针连接方法正好相反。

二极管主要参数：用来表示二极管性能和应用范围的技术指标，称为二极管参数。不同类型的二极管具有不同的特性参数。对于初学者，您必须了解以下主要参数：

1.整流电流：二极管长期连续工作时允许的正向电流，与PN结面积和外部散热条件有关。当电流通过管时，管芯将加热，温度将升高。当温度超过允许极限时（硅管约141，锗管约90），管芯会过热损坏。因此，在规定的散热条件下，不要超过正在使用的二极管的整流电流。例如，常用的in4001-4007锗二极管的额定正向工作电流为1a。

2.反向工作电压：当二极管两端施加的反向电压达到一定值时，管会击穿并失去单向导电性。为确保使用安全，规定了反向工作电压值。例如in4001二极管的反向耐压为50V，IN4007二极管的反向耐压为1000V。

3.反向电流：反向电流是指在规定温度反向电压作用下流过二极管的反向电流。反向电流越小，管的单向导电性越好。值得注意的是，反向电流与温度密切相关。温度每升高10%，反向电流将加倍。例如，如果2ap1锗二极管的反向电流在25时为250ua，当温度上升到35时，反向电流将上升到500uA，依此类推。在75时，其反向电流达到8Ma，这不仅会失去单向导电性，还会导致管子过热和损坏。另一个例子是，2cp10硅二极管的反向电流在25时仅为5ua。当温度上升到75时，反向电流仅为160ua。因此，硅二极管在高温下比锗二极管具有更好的稳定性。

4.动态电阻Rd：二极管特性曲线静态工作点Q附近的电压变化与相应电流变化的比率。