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二极管原理、识别方法及主要参数

来源:华强商城 发布时间:2021-12-07

摘要: 二极管工作原理:晶体二极管是由p型半导体和n型半导体形成的p-n结。在界面两侧形成空间电荷层,形成自建电场。当没有外加电压时,p-n结两侧载流子浓度差引起的扩散电流等于自建电场引起的漂移电流。当存在正向电压偏置时,外部电场和自建电场的相互抑制会增加载流子扩散电流,导致正向电流。

 

二极管工作原理:晶体二极管是由p型半导体和n型半导体形成的p-n结。在界面两侧形成空间电荷层,形成自建电场。当没有外加电压时,p-n结两侧载流子浓度差引起的扩散电流等于自建电场引起的漂移电流。当存在正向电压偏置时,外部电场和自建电场的相互抑制会增加载流子扩散电流,导致正向电流。当外部存在反向偏压时,外部电场和自建电场进一步增强,在一定的反向电压范围内形成与反向偏压无关的反向饱和电流I0。当施加的反向电压较高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值,导致载流子和大量电子空穴对的倍增过程,产生较大的反向击穿电流,称为二极管击穿现象。p-n结的反向击穿可分为齐纳击穿和雪崩击穿。

二极管 

二极管的识别方法:a;用视觉方法判断半导体二极管的极性:一般情况下,在实物的电路图中,通过眼睛可以直接看到半导体二极管的正负极。在真实对象中,如果您看到负极在一端用颜色标记,正极在另一端标记。B用万用表(指针式表)判断半导体二极管的极性:通常选择万用表的欧姆档(R*100或R*1K),然后将万用表的两个表笔分别连接到二极管的两极。二极管接通时,测得的电阻很小(通常在几十欧姆到几千欧姆之间)。此时,黑色探针连接到二极管的正极,红色探针连接到二极管的负极。当测得的电阻较大(通常为数百至数千欧姆)时,黑色表笔连接到二极管的负极,红色表笔连接到二极管的正极。C测试注意事项:使用数字式万用表测量二极管时,红色表笔连接二极管正极,黑色表笔连接二极管负极。此时,测得的电阻是二极管的正导通电阻,与指针式万用表的探针连接方法正好相反。

 

二极管主要参数:用来表示二极管性能和应用范围的技术指标,称为二极管参数。不同类型的二极管具有不同的特性参数。对于初学者,您必须了解以下主要参数:

 

1.整流电流:二极管长期连续工作时允许的正向电流,与PN结面积和外部散热条件有关。当电流通过管时,管芯将加热,温度将升高。当温度超过允许极限时(硅管约141,锗管约90),管芯会过热损坏。因此,在规定的散热条件下,不要超过正在使用的二极管的整流电流。例如,常用的in4001-4007锗二极管的额定正向工作电流为1a。

 

2.反向工作电压:当二极管两端施加的反向电压达到一定值时,管会击穿并失去单向导电性。为确保使用安全,规定了反向工作电压值。例如in4001二极管的反向耐压为50V,IN4007二极管的反向耐压为1000V。

 

3.反向电流:反向电流是指在规定温度反向电压作用下流过二极管的反向电流。反向电流越小,管的单向导电性越好。值得注意的是,反向电流与温度密切相关。温度每升高10%,反向电流将加倍。例如,如果2ap1锗二极管的反向电流在25时为250ua,当温度上升到35时,反向电流将上升到500uA,依此类推。在75时,其反向电流达到8Ma,这不仅会失去单向导电性,还会导致管子过热和损坏。另一个例子是,2cp10硅二极管的反向电流在25时仅为5ua。当温度上升到75时,反向电流仅为160ua。因此,硅二极管在高温下比锗二极管具有更好的稳定性。

 

4.动态电阻Rd:二极管特性曲线静态工作点Q附近的电压变化与相应电流变化的比率。


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