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台湾半导体TESD ESD瞬态电压抑制二极管的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2022-03-02

摘要: 为保护连接到电源和控制线的敏感电子元件而设计。


    台湾半导体TESD ESD瞬态电压抑制(TVS)二极管是单向和双向二极管的静电放电(ESD)额定箝位单元。这些二极管设计用于保护连接到数据和传输线的电子元件,防止静电放电和照明造成的过电压损坏。TESD ESD瞬态电压抑制二极管符合RoHS标准,具有快速接通和低箝位电压。这些二极管可用于音频和视频设备、便携式电子设备和笔记本电脑、PCI express和电源保护等应用。


    特性

    • 接通快,箝位电压低

    • 1级,根据J-STD-020湿度敏感等级

    • 通过无铅认证

    • 不含卤素,符合IEC 61249-2-21标准

    • TESDH5V0U04P2Q1:

      • 61000-4-2 (ESD)±20kV(空气),±20kV(接触)IEC

      • 4A (8/20μs)

      • ESD保护2个高速I/O通道

      • 为每个IEC通道提供ESD保护:

      • 22.2V低箝位电压(V(CL))在I(TLP) = 16A

      • 0.65 pf超低电容

      • 超薄DFN1006-3L包

    • TESDL5V0B45P1M3:

      • IEC 61000-4-2 (ESD)±30kV(空气),±30kV(接触)

      • IEC 61000-4-5(闪电)12A (8/20μs)

      • 1线双向防静电保护

      • 为每个通道提供ESD保护:

      • 可在一个小包装

      • 保护一条I/O线或一条电源线

      • 包括固态硅雪崩和有源电路触发技术

      • 适用于5V及以下工作电压的应用场合


    规格

    • TESDL5V0B45P1M3:

      • -55°C至150°C工作结温度范围

      • 12A峰值脉冲电流(tp = 8/20μs)

      • 130W峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)

      • 最大反向工作电压5V

      • 最大箝位电压(在I(PP) = 1A to 12A, tp = 8/20μs)

      • 最大结电容45pF (1MHz, V(R) = 0V)

    • TESDH5V0U04P2Q1:

      • -55°C至125°C工作结温度范围

      • 4A峰值脉冲电流(tp = 8/20μs)

      • 60W峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)

      • 最大反向工作电压5V

      • 最大箝位电压11V至15V(在I(PP) = 1A至4A, tp = 8/20μs)

      • 引脚1和引脚2之间的最大结电容(1MHz, V(R) = 0V)


    应用 

    • TESDL5V0B45P1M3:

      • 便携式设备

      • 计算机和外围设备

      • 电源保护

      • 音频和视频设备

      • 笔记本、台式机和服务器

    • TESDH5V0U04P2Q1:

      • IEEE 1394

      • 串行总线

      • USB 2.0和3.0

      • 萨塔和eSATA

      • HDMI 1.3、1.4和2.0版本

      • 便携式电子产品和笔记本

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