Mikroe ReRAM 2 Click提供了一个高可靠的电阻随机存取存储器，并以富士通半导体MB85AS8MT 8Mbit存储器为特色，由1,048,576个8位字组成。MB85AS8MT采用可变电阻存储器和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。Mikroe ReRAM 2 Click是理想的非易失性存储媒体或临时RAM扩展，用于在任何需要快速写入和无限耐力的嵌入式应用程序中存储变量。

特性

• 车载模块
  

• 富士通半导体MB85AS8MT高可靠电阻随机存取存储器(ReRAM)

• 8Mbits(1,048,576字x 8位)

• 256字节缓冲区大小

• 高耐力和数据保留

• 高速串行接口

• 复杂的写保护方案

• SPI接口

• mikroBUS兼容性

• S (28.6mm × 25.4mm)单击单板尺寸

• 3.3 v的输入电压

应用 

• 非易失性存储介质

• 临时内存膨胀

概述