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Qorvo QPD1028和QPD1028L 750W GaN SiC晶体管的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2022-03-10

摘要: SiC hemt上的离散GaN工作频率从1.2GHz到1.4GHz,非常适合雷达应用。

    Qorvo QPD1028和QPD1028L 750W SiC上GaN晶体管是分立的氮化镓在碳化硅上HEMT(高电子迁移率晶体管),工作频率从1.2GHz到1.4GHz。这些器件提供59dBm的饱和输出功率,18dB的大信号增益和70%的漏极效率。QPD1028和QPD1028L晶体管内部预匹配的最佳性能,可以支持连续波和脉冲操作。


    Qorvo QPD1028和QPD1028L GaN在SiC晶体管封装在行业标准的NI-780空气腔封装,非常适合雷达应用。QPD1028L包包括一个耳法兰用于螺栓固定放置。


    特性

    • 1.2GHz ~ 1.4GHz频段

    • 饱和输出功率(P(SAT))

    • P(SAT)的排水效率为70%

    • PSAT的18dB大信号增益

    • 偏见:V (DS) = + 65 V,我马(DQ) = 750

    • -40°C +85°C工作温度范围

    • 20.57mm x 9.78mm x 3.63mm NI-780封装

    • 无卤素,无铅,符合RoHS


    应用程序

    • l波段雷达

    • 供应管理协会(ISM)


    数据表

    • QPD1028数据表

    • QPD1028L数据表


    框图


    QPD1028计划大纲


    QPD1028L计划大纲

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