摘要: SiC hemt上的离散GaN工作频率从1.2GHz到1.4GHz,非常适合雷达应用。
Qorvo QPD1028和QPD1028L 750W SiC上GaN晶体管是分立的氮化镓在碳化硅上HEMT(高电子迁移率晶体管),工作频率从1.2GHz到1.4GHz。这些器件提供59dBm的饱和输出功率,18dB的大信号增益和70%的漏极效率。QPD1028和QPD1028L晶体管内部预匹配的最佳性能,可以支持连续波和脉冲操作。
Qorvo QPD1028和QPD1028L GaN在SiC晶体管封装在行业标准的NI-780空气腔封装,非常适合雷达应用。QPD1028L包包括一个耳法兰用于螺栓固定放置。
1.2GHz ~ 1.4GHz频段
饱和输出功率(P(SAT))
P(SAT)的排水效率为70%
PSAT的18dB大信号增益
偏见:V (DS) = + 65 V,我马(DQ) = 750
-40°C +85°C工作温度范围
20.57mm x 9.78mm x 3.63mm NI-780封装
无卤素,无铅,符合RoHS
l波段雷达
供应管理协会(ISM)
QPD1028数据表
QPD1028L数据表
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