UnitedSiC UF3N170400B7S 1700V-400mW SiC常亮JFET表现出超低导通电阻(R(DS(ON))和栅电荷(Q(G))，允许低导通和开关损耗。这种JFET在V(GS) = 0V时的低R(DS(ON))值是不需要主动控制和级联操作的电流保护电路的理想选择。UF3N170400B7S 1700V-400mW SiC常亮JFET提供低栅电荷和低本征电容。该FET工作在-55°C至175°C的温度范围内，可采用D(2)PAK-7L封装，符合RoHS，无卤素，无铅。典型的应用包括过流保护电路、DC-AC逆变器、开关模式电源、功率因数校正模块、电机驱动器和感应加热。

特性

• 压控设备

• 极快的开关，不依赖于温度

• 门费用低

• 低固有电容

• D (2) PAK-7L包

• 通过无铅认证

• 卤素和无铅

规格

• 工作温度范围-55°C至175°C

• 最大结温175°C

• 1700 v漏源极电压

• 68 w功率损耗

• 回流焊温度245℃

应用程序

• 过流保护电路

• 直粱逆变器

• 开关型电源

• 功率因数校正模块

• 马达驱动器

• 感应加热