摘要: 650V碳化硅肖特基二极管TO-3PF封装,理想的开关模式电源。
WeEn Semiconductors WNSC2D16650CJ和WNSC2D20650CJ碳化硅(SiC)肖特基二极管是650V器件,优化用于高频开关模式电源。与硅器件相比,SiC器件具有许多优点,包括无反向恢复电流、温度无关开关和优异的热性能。这些特性导致更高的效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的电磁干扰,并减少系统的规模和成本。这些二极管具有极快的反向恢复时间,减少相关MOSFET的损耗,和低冷却要求。
WeEn Semiconductors WNSC2D16650CJ and WNSC2D20650CJ SiC肖特基二极管提供TO-3PF符合RoHS封装。
高度稳定的开关性能
极快的反向恢复时间
效率优于硅二极管替代品
减少了相关MOSFET的损耗
减少电磁干扰
减少冷却需求
通过无铅认证
额定2500V RMS的绝缘封装
功率因数校正
电信和服务器SMPS
联合包裹
光伏逆变器
PC silverbox
LED和OLED电视
马达驱动器
650V重复峰值反向电压(V(RRM))
平均正向电流(I(O(AV))
WNSC2D16650CJ: 16
WNSC2D20650CJ: 20
恢复费用(Q (r))
WNSC2D16650CJ: 13数控
WNSC2D20650CJ: 14数控
1.5V ~ 1.7V正向电压(V(F))
2500V RMS隔离电压(V(isol(RMS))
10pF隔离电容(Cisol)
最大结温175℃(T(j))
TO-3PF包
不含卤素,符合RoHS
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