摘要: 包括高压高速栅极驱动器和三相栅极驱动器芯片,工作电压可达600V。
用于n通道mosfet和igbt的IXYS栅极驱动器包括高压高速栅极驱动器和三相栅极驱动器ic。这些器件设计用于驱动两个n通道mosfet或igbt在半桥配置或高侧/低侧配置。高压技术使高压侧在引导操作中切换到600V。该驱动器提供特性高脉冲电流缓冲器,设计用于最小的驱动器交叉传导。其他功能包括3.3V的逻辑输入,施密特触发逻辑输入和欠压锁定(UVLO)保护。用于n沟道mosfet和igbt的IXYS栅极驱动器可在-40°C至+125°C的扩展温度范围内工作。
常见的
驱动两个n通道mosfet或igbt在半桥配置或高侧/低侧配置
逻辑输入3.3V能力
施密特触发了逻辑输入
UVLO保护
-40°C至+125°C的温度范围
网格状的门司机
浮动高侧驱动器在引导操作到600V
输出容忍负瞬变
三相半桥门驱动器
三个浮动的高边驱动器在引导操作到600V
匹配传播延迟
Cross-conduction预防逻辑
高侧/低侧闸门驱动器
浮动高侧驱动器在引导操作到600V
输出容忍负瞬态(取决于模型)
半桥门驱动器和高侧/低侧门驱动器
直流-直流转换器
交直流逆变器
电机控制
电机驱动程序
D类功率放大器
三相半桥门驱动器
三相电机逆变器驱动器
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