NXP Semiconductors RDGD3160I3PH5EVB HP驱动参考设计演示了一个基于六个GD3160栅极驱动器的三相逆变器电路。GD3160是一款先进的单通道高压隔离栅极驱动器，具有增强的特性，用于驱动和保护碳化硅(SiC) mosfet或igbt，以及功能安全。RDGD3160I3PH5EVB支持SPI菊花链通信，可独立与三个高边门驱动器和三个低边门驱动器进行编程和通信。参考设计包括故障管理和所有支持电路。

RDGD3160I3PH5EVB用于连接到兼容的Infineon Technologies HybridPACK Drive SiC IGBT模块或onsemi - VE-trac IGBT模块，用于全三相逆变器应用开发。参考设计具有低压和高压隔离，结合栅驱动集成电偶信号隔离。其他支持功能包括去饱和短路检测、IGBT温度传感、直流链路母线电压监测、相电流传感、电机分解器激励和信号处理连接电路。

NXP Semiconductors RDGD3160I3PH5EVB参考设计NXP Semiconductors RDGD3160I3PH5EVB参考设计NXP Semiconductors RDGD3160I3PH5EVB参考设计

特性

• 能够连接到HP Drive IGBT模块，进行三相评估和开发

• 菊花链SPI通信的三个高边和三个低边门驱动器

• 电源跳线可配置VEE负或GND参考

• 易于接近电源，接地和信号测试点

• 32针PCIe插座，接口MCU控制

• 直流母线电压监测可选连接

• 关键部件

• 用于SiC mosfet / igbt的GD3160汽车门驱动器

• MPC5777C电源架构 微控制器

• FS6500系统基础芯片

• TJA1042高速CAN收发器

必需的设备

• 用于SPI通信的单片机板

• 建议采用MPC5777C-DEVB(不包括在内)或MPC5775x-EVB(不包括在内)

• FS820R08A6P2B HybridPACK SiC IGBT模块或其他兼容的MOSFET模块(不含)

• 兼容直流链路电容器

• 高压电源带保护屏和听力保护

• 电流传感器用于监测每个相电流

• 12V, 1A直流电源

• 带探头的高采样率数字示波器

• 高压差压探头

软件

NXP Semiconductors RDGD3160I3PH5EVB参考设计需要一个可用USB端口和Windows 7、10或更高的Windows PC工作站。还需要从NXP获得以下软件。

• SoftwareS32S Design Studio IDE for Power Architecture

• 汽车数学与电机控制库(AMMCL)

• FreeMaster 2.0运行时调试工具

• 电机控制应用调整(MCAT)

• GD3160设备驱动示例代码

资源

• 用户手册

• 图表

• 设计文件(需要登录nxp.com)

• 汽车电气化解决方案手册

板布局

框图

设置示例(MPC5777C-DEVB)

设置示例(MPC5744P-MCU)