NXP Semiconductors RDGD31603PHSEVM VE-Trac 驱动参考设计演示了基于六个GD3160 Gate驱动器的三相逆变器电路。GD3160是一款先进的单通道高压隔离栅极驱动器，具有增强的特性，用于驱动和保护碳化硅(SiC) mosfet或igbt，以及功能安全。RDGD3160I3PH5EVB支持SPI菊花链通信，可独立与三个高边门驱动器和三个低边门驱动器进行编程和通信。参考设计包括故障管理和所有支持电路。该板的其他支持功能包括减饱和短路检测、IGBT/SiC温度传感、直流Link总线电压监测、相电流传感、电机分解器激励和信号处理连接电路。

RDGD3160I3PH5EVB包括与PC接口的FRDM-KL25Z自由开发板。Flex GUI软件需要安装在PC上，PC通过SPI寄存器与GD3160通信，可以是菊花链或独立配置。FlexGUI软件允许用户在没有任何软件开发的情况下配置GD3160设备，并进行单相短路(SC)或双脉冲测试(DPT)。

RDGD31603PHSEVM被设计用于连接到onsemi - VE-Trac SiC模块(不包括在内)或任何其他具有相同引脚的MOSFET模块的兼容占用空间。参考设计还兼容MPC5775x-EVB微控制器板(不包括在内)，允许使用NXP软件的例子进行全电机控制。

NXP Semiconductors RDGD31603PHSEVM参考设计可以作为开发一个完整的ASIL-D兼容的、高电压、大功率牵引电机逆变器电动汽车的基础。

特性

• 具备在U阶段进行SC和DPT测试的能力

• 评估板设计和组装了GD3160门驱动器和保护电路

• 能够连接到混合驱动SiC模块，进行三相评估和开发

• 菊花链SPI通信(3个高门面和3个低门面驱动器)

• 可变反激V(CC)电源，GND参考和-3.9V VEE电源

• 易于接近电源，接地和信号测试点

• 32针PCIe插座，接口MCU控制

• 直流母线电压监测可选连接

• 相电流反馈连接

• 解析器信号连接器

• 关键部件

• 用于SiC mosfet / igbt的GD3160汽车门驱动器

• MPC5777C电源架构 微控制器

• FS6500系统基础芯片

• TJA1042高速CAN收发器

必需的设备

• 用于SPI通信的单片机板

• 推荐使用FRDM-KL25Z(含)、MPC5777C-DEVB(不含)、MPC5775x-EVB(不含)

• onsemi NVXR17S90M2SP VE-Trac SiC模块或其他兼容MOSFET模块(不包括)

• 兼容直流链路电容器

• 高压电源带保护屏和听力保护

• 电流传感器用于监测每个相电流

• 12V, 1.0A直流电源

• 带有适当隔离探头的4通道示波器

软件

NXP Semiconductors RDGD31603PHSEVM参考设计需要一个可用USB端口和Windows 7、10或更高的Windows PC工作站。还需要从NXP获得以下软件。

• FlexGUI图形用户界面软件工具

• SoftwareS32S Design Studio IDE for Power Architecture

• 汽车数学与电机控制库(AMMCL)

• FreeMaster 2.0运行时调试工具

• 电机控制应用调整(MCAT)

• GD3160设备驱动示例代码

资源

• RDGD31603PHSEVM用户手册

• FRDM-KL25Z用户手册

• 图表

• 设计文件(需要登录nxp.com)

• 汽车电气化解决方案手册

板布局

框图

设置示例(FRDM-KL25Z)

设置示例(MPC577C-DEVB)

设置示例(MPC5744P-MCU)